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27.02.17   Kategorie: Aktive Bauelemente, Beck Handel

600V Super Junction 2nd Generation N-Channel MOSFETs

 

mosfet-n-channel-single-taiwan-semiconductor

Taiwan Semiconductor hat eine zweite Generation von
600 V-Super-Junction-Leistungs-MOSFETs entwickelt.

  • Schnellere, leistungsfähigere Schaltleistung
  • Verbesserte Leistungsfähigkeit (FOM)
  • Schnellere Recovery-Zeit

Die Familie der 600 V N-Kanal-Leistungs-MOSFETs TSM60NBxxx bietet RDS(on) (max) im Bereich von 190 mΩ bis 1.4 Ω.

Die fortschrittliche und proprietäre Super-Junction-Technologie wurde speziell entwickelt, um die Effizienzbegrenzungen von Hochspannungs-Planar-MOSFETs durch eine Verbesserung der RDS(on) * Qg Figure-of-Merit in Lastschaltanwendungen zu lösen.

Niedriger RDS(on), geringe Gate-Ladung (Qg) und schnelle Reverse Recovery Performance verringern Leitungs- und Schaltverluste.

Eine Reihe von thermisch effizienten, zuverlässigen RoHS / REACH-kompatiblen und halogenfreien Gehäuseformen werden für platzbeschränkte Leistungsschaltanwendungen angeboten.

Features:

  • G2 Super-Junction technology
  • 100% UIS tested
  • Low Gate Charge, Improved FOM
  • Fast Reverse Recovery
  • RoHS / REACH compliant and Halogen Free Packaging

Anwendungen:

  • LED Lighting
  • Charger / Adaptor
  • SMPS Power Factor Correction
  • LLC Primary Side MOSFET
TSC P/NPackageVDS
(V)
RDS(ON) max.
(Ω)
R DS(ON) typ.
(Ω)
Qg typ.
(nC)
Vgs
(±V)
trr typ.
(ns)
Qrr typ.
(μC)
TSM60NB190CI/CZ /CM2ITO-220/TO-220 /TO-263600 0.190.1731303604.5
TSM60NB260CIITO-2206000.260.1930303474.2
TSM60NB380CH/CPTO-251/TO-2526000.380.2619302722.9
TSM60NB600CH/CPTO-251/TO-2526000.600.4513302332.2
TSM60NB900CH/CPTO-251/TO-2526000.900.6910301861.4
TSM60NB1R4CH/CPTO-251/TO-2526001.401.007301260.6

Datenblatt TSM60NBxxx